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据手机晶片达人在微博上的爆料称,台积电内部决定放弃N3工艺,因为客户都不用,转2023下半年量产降本的N3E工艺。
不过在3nm之后,台积将在明年推出升级版的N3E工艺,也就是3nm Enhanced增强版,进一步提升性能、降低功耗、扩大应用范围,对比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或可以将晶体管密度提升60%。
事实上,对于N3工艺,大部分IC厂其实兴趣都是不大的,毕竟N5、N4、N3这种工艺,一般只有手机芯片厂商才会感兴趣,其它IC厂商则没多大兴趣,主要因为其应用成本太高。
虽然,就这个消息来看,N3工艺没有取得多大反响,不过下一代的N3E却传出了好消息。8月24日,据知名科技网站Tom's handware消息,台积电N3E工艺良率进展超预期。其中256Mb SRAM的平均良率约为80%,移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。
台积电N3E工艺为N3工艺的加强版,其性能和功耗表现更好,此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。此前有消息称,台积电N3制程在完成技术研发及试产后,预计2022年第三季下旬投片量开始大幅拉升,第四季月投片量将达上千片水准,进入量产阶段。从以往惯例来看,预计台积电会在今年先一步测试N3E工艺的性能和试产良率,可能会在2023年下半年大规模量产。
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